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BUK768R1-100E,118  与  IPB083N10N3 G  区别

型号 BUK768R1-100E,118 IPB083N10N3 G
唯样编号 A-BUK768R1-100E,118 A-IPB083N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.3mΩ@73A,10V
上升时间 - 42ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 263W 125W
Qg-栅极电荷 - 55nC
输出电容 521pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 45S
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 5535pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 8.1mΩ@10V -
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 18ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
190+ :  ¥16.2501
400+ :  ¥12.5001
800+ :  ¥11.062
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404 N-Channel 263W 175℃ 3V 100V 100A

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
800: ¥11.062
0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRFS4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB083N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB083N10N3GATMA1_100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比

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